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英特尔名为PowerVia的背面供电网络(PDN)有望成为英特尔即将推出的18A和20A制程工艺的主要优势之一。为了了解如何实施它并向有兴趣使用英特尔代工服务的各方展示其优势，该公司使用Intel 4制程生产的测试芯片中实践了这一技术，并在VLSI 2023大会上进行了展示。

背面PDN旨在通过将电源轨重新定位到芯片背面来分离I/O和电源布线，这有助于解决诸如线路后端(BEOL)中过孔电阻增加等问题。这样的设计增强了晶体管性能并降低了功耗，同时还消除了数据和电源连接之间的潜在干扰。此外，去耦PDN和数据线有助于减少面积，与现有生产节点相比，将带来更高的晶体管密度。英特尔的背面供电实验芯片基于未命名的节能“E核”，并在英特尔4工艺技术上实现。

英特尔表示，英特尔的PowerVia在核心的大部分区域实现了超过90%的标准单元利用率，同时还提供了超过5%的时钟速度提升，因为减少了红外压降。英特尔准备展示的一张图片似乎证明了这一点，尽管无法评估类似内核在实际工作负载中的表现。根据英特尔的展示，下一代18A和20A工艺技术在2024年至2025年的时间框架内预计将比依赖传统电力传输设计的竞争生产节点具有一定的优势。